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VISHAY SI4894BDY-T1-GE3 N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A, Transistor P


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737N-1871358
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4894BDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Qualifikation: -
  • Dauer-Drainstrom Id: 12 A
  • Produktpalette: -
  • Verlustleistung: 1.4 W
  • Kanaltyp: N Channel
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016 ohm
  • Transistormontage: Surface Mount
  • Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI4894BDY-T1-GE3, 1871358, 187-1358
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