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Infineon IPB123N10N3 G Transistor 100 V


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Produktinformationen
Infineon IPB123N10N3 G Transistor 100 V
Infineon IPB123N10N3 G Transistor 100 V
Artikel-Nr.:
     CIDE8-79087093
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB123N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Weitere Informationen:
Merkmale
Spannung
100 V
Leistung
94 W
Widerstand
0.0082 mΩ
Betriebstemperatur
-55 - 175 °C
Zertifizierung
RoHs
Die Konditionen im Überblick1
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