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| Artikel-Nr.:
3794E-1702250 Herst.-Nr.:
BSR316PH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043054674 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 360 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = SIPMOS®
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 1.6mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.1V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 360 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | SIPMOS® | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,2 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 1.6mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.1V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1702250, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSR316PH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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