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| Artikel-Nr.:
3794E-2025689 Herst.-Nr.:
NTBG040N120SC1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = NTB
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,04 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 60 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, DC- oder DC-Wandler, Boost-Wechselrichter verwendet werden.40-mO-Ablass zur Quelle des Widerstandes Extrem niedrige Gate-Ladung 100%ig auf Stoßentladung geprüft Bleifrei RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Serie: | NTB | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,04 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, 2025689, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTBG040N120SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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