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| Artikel-Nr.:
3794E-2025696 Herst.-Nr.:
NTH4L020N120SC1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 84 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = NTH
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,028 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 102 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, DC- oder DC-Wandler, Boost-Wechselrichter verwendet werden.20 mO Ablass zur Quelle des Widerstandes Extrem niedrige Gate-Ladung 100%ig auf Stoßentladung geprüft Bleifrei RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 84 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Serie: | NTH | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,028 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, 2025696, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTH4L020N120SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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