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| Artikel-Nr.: 3794E-2025700 Herst.-Nr.: NTH4L080N120SC1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Serie = NTH Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,11 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 29 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, Boost-Wechselrichter, Motorantrieb für die Industrie, PV-Ladegerät verwendet werden.110 mO Ablass zur Quelle am Widerstand Extrem niedrige Gate-Ladung 100%ig auf Stoßentladung geprüft Bleifrei RoHS-konform Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 29 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Serie: | NTH | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,11 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, 2025700, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTH4L080N120SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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