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| Artikel-Nr.:
3794E-2025702 Herst.-Nr.:
NTH4L160N120SC1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = NTH
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,224 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 17,3 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, DC/DC-Wandler, Aufwärtswandler verwendet werden.160 mO Ablass zur Quelle am Widerstand Extrem niedrige Gate-Ladung 100%ig auf Stoßentladung geprüft Bleifrei RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Serie: | NTH | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,224 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, mosfet 17a, 2025702, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTH4L160N120SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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