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| Artikel-Nr.:
3794E-2052449 Herst.-Nr.:
NTBG080N120SC1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der on Semiconductor Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.Niedriger Einschaltwiderstand, Typ 80 MOhm Hohe Abzweigtemperatur Extrem niedrige Gate-Ladung Niedrige effektive Ausgangskapazität Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 110 mΩ | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2052449, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTBG080N120SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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