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Infineon IGBT / 250 A ±20V max. Triple, 6500 V 1000 kW, 5-Pin CTI


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2735339
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FZ250R65KE3NPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 250 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 6500 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 1000 kW
Gehäusegröße = CTI
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
250 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
6500 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
1000 kW
Gehäusegröße:
CTI
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
5
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, 2735339, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FZ250R65KE3NPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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