Kategorien
Bürobedarf
Hardware, Software, Telekommunikation
Werkzeugtechnik
Elektronik, Elektrotechnik
Betriebsausstattung, Lagerausstattung
Arbeitsschutz
Technischer Handel
Medizinbedarf, Therapie, Labor
Haustechnik, Gebäudetechnik
Versand, Verpackung
Hotel, Gastronomie, Essen, Trinken
Reinigung
Weitere Kategorien
Schweiz
Deutsch
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Anmelden
Neukunde?
Jetzt registrieren
>
Profil
Bestellarchiv
Einkaufslisten
Bedarfsanforderungen
Warenkorb
Startseite
>
Elektronik, Elektrotechnik
>
Aktive Bauelemente
>
Gleichrichter Transistoren Dioden
>
Transistor
>
SMD-Transistor
>
Artikel
Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
Menge:
Packung
Produktinformationen
Fenster schließen
Artikel-Nr.:
3794E-8269055
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IGB10N60TATMA1
EAN/GTIN:
5059043004273
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 110 W
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.31 x 9.45 x 4.57mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
10 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
110 W
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
1MHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
10.31 x 9.45 x 4.57mm
Betriebstemperatur min.:
-40 °C
... >
Halbleiter
>
Diskrete Halbleiter
>
IGBT
Weitere Suchbegriffe:
igbt infineon
,
smd transistor
,
transistor d2-pak
,
8269055
,
Halbleiter
,
Diskrete Halbleiter
,
Infineon
,
IGB10N60TATMA1
,
Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
IGBTs
Die Konditionen im Überblick
1
Lieferzeit
Lagerstand
Preis
ab CHF 9.72*
Preis gilt ab 3’000 Packungen
1 Packung enthält 20 Stück (ab CHF 0.486* pro Stück)
Konditionen selbst auswählen
Artikel empfehlen
Artikel merken
Staffelpreise
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
1 Packung
CHF 12.89*
CHF 13.93409
pro Packung
ab 2 Packungen
CHF 12.84*
CHF 13.88004
pro Packung
ab 5 Packungen
CHF 12.26*
CHF 13.25306
pro Packung
ab 10 Packungen
CHF 11.70*
CHF 12.6477
pro Packung
ab 20 Packungen
CHF 11.47*
CHF 12.39907
pro Packung
ab 3000 Packungen
CHF 9.72*
CHF 10.50732
pro Packung
Zubehör
Folgendes Zubehör führen wir in unserem Sortiment:
Art
Bild
Artikel
Hersteller/-Nr.
Preis
Zubehör
EPCOS B828, Stromwandler, Oberflächenmontage, 20:1 20A, 7.11mm x 5.08mm
Epcos
B82801B0205A100
ab CHF 5.29002*
Zubehör
Murata MGJ3 DC/DC-Wandler 3W 12 V dc IN, 5 V dc, 15V dc OUT / 120mA Oberflächenmontage 5.2kV dc isoliert
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
ab CHF 17.03*
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.
Über uns
Support
Presse
Job & Karriere
AGB
Impressum
Datenschutz
Nachhaltigkeit
Datenschutzeinstellungen