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Infineon HEXFET IRF7855TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Menge:
Packung
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
3794E-8273893
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IRF7855TRPBF
EAN/GTIN:
5059043870656
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 9,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
12 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Serie:
HEXFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
9,4 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.9V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
2,5 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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Mosfet
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leistungs-mosfet
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
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CHF 5.51*
CHF 5.95631
pro Packung
Zubehör
Folgendes Zubehör führen wir in unserem Sortiment:
Art
Bild
Artikel
Hersteller/-Nr.
Preis
Zubehör
EPCOS B828, Stromwandler, Oberflächenmontage, 20:1 20A, 7.11mm x 5.08mm
Epcos
B82801B0205A100
ab CHF 5.30001*
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