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| Artikel-Nr.: 3794E-9227939 Herst.-Nr.: ZVP2106A EAN/GTIN: 5059043298627 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 280 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = E-Line Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Verlustleistung max. = 700 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 4.01mm
P-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 280 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | E-Line | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 700 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 4.01mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 9227939, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVP2106A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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