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STMICROELECTRONICS STW58N60DM2AG MOSFET AEC-Q101 N-KANAL, 600V, 50A, 360W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3367087
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STW58N60DM2AG
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052 ohm
  • Produktpalette: MDmesh DM2
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 50 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 360 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, mosfet 50a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STW58N60DM2AG, 3367087, 336-7087
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