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ONSEMI NTH4L025N065SC1 SIC-MOSFET, 650V, 99A, TO-247

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-4036813

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
NTH4L025N065SC1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 18 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 ohm

Produktpalette: -

Anzahl der Pins: 4 Pin(s)

MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 99 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-247

Drain-Source-Spannung Vds: 650 V

Verlustleistung: 348 W

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 V

SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTH4L025N065SC1, 4036813, 403-6813

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