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| Artikel-Nr.: 8737-4168960 Herst.-Nr.: XP4N2R1MT EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021 ohmProduktpalette: XP4N2R1 Series Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: PMPAK Dauer-Drainstrom Id: 170 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 40 VVerlustleistung: 5 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP4N2R1MT, 4168960, 416-8960 |
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