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| Artikel-Nr.: 8737-4168979 Herst.-Nr.: XP6N090N EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09 ohmProduktpalette: XP6N090 Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: SOT-23S Dauer-Drainstrom Id: 2.5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 1.25 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP6N090N, 4168979, 416-8979 |
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