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YAGEO XSEMI XP50AN1K5H MOSFET, N-KANAL, 500V, 5A, TO-252


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-4169000
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP50AN1K5H
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5 ohm
  • Produktpalette: XP50AN1K5H Series
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-252
  • Dauer-Drainstrom Id: 5 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 500 V
  • Verlustleistung: 2 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP50AN1K5H, 4169000, 416-9000
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