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| Artikel-Nr.: 8737-4169012 Herst.-Nr.: XP65AN1K2IT EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 ohmProduktpalette: XP65AN1K2 Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-220CFM Dauer-Drainstrom Id: 7 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 1.92 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP65AN1K2IT, 4169012, 416-9012 |
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