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  mosfet 13a  (203 gefilterte Angebote unter 5’399’596 Artikeln)

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"MOSFET"

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YAGEO XSEMI XP60SA290DH MOSFET, N-KANAL, 600V, 13.3A, TO-252 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29 ohm Produktpalette: XP60SA290D Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - ...
YAGEO XSEMI
XP60SA290DH
ab CHF 2.06*
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Infineon IPB95R450PFD7ATMA1 N-Kanal MOSFET 950 V / 13,3 A, 3-Pin TO-263 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13,3 A Drain-Source-Spannung max. = 950 V Gehäusegröße = TO-263 Pinanzahl = 3
Infineon
IPB95R450PFD7ATMA1
ab CHF 1.33*
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Infineon IPB95R450PFD7ATMA1 N-Kanal MOSFET 950 V / 13,3 A, 3-Pin TO-263 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13,3 A Drain-Source-Spannung max. = 950 V Gehäusegröße = TO-263 Pinanzahl = 3
Infineon
IPB95R450PFD7ATMA1
ab CHF 2.16*
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Infineon IPD95R450PFD7ATMA1 N-Kanal MOSFET 950 V / 13,3 A, 3-Pin TO-252 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13,3 A Drain-Source-Spannung max. = 950 V Gehäusegröße = TO-252 Pinanzahl = 3
Infineon
IPD95R450PFD7ATMA1
ab CHF 1.74*
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Infineon IPD78CN10N G Transistor 100 V (1 Angebot)
Infineon
IPD78CN10NGATMA1
ab CHF 0.27*
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Infineon IPD78CN10NGATMA1 N-Kanal MOSFET Transistor / 13 A PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Gehäusegröße = PG-TO252-3
Infineon
IPD78CN10NGATMA1
ab CHF 0.30*
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Infineon IPP60R040S7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 600 V / 13 A TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT
Infineon
IPP60R040S7XKSA1
ab CHF 5.65*
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Infineon IPP60R040S7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 600 V / 13 A TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT
Infineon
IPP60R040S7XKSA1
ab CHF 4.32*
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