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  mosfet vishay  (2’862 gefilterte Angebote unter 5’363’520 Artikeln)

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"MOSFET"

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VISHAY SQJ946EP-T1_GE3 MOSFET 2FACH N-KANAL 40V, POWERPAK SO-8L (1 Angebot) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15 A Produktpalette: TrenchFET Series Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40 V Dauer-Drainstrom Id, ...
Vishay
SQJ946EP-T1_GE3
ab CHF 1.58*
pro 5 Stück
 
 Packung
Vishay SQJ154EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 243 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 243 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQJ154EP-T1_GE3
ab CHF 0.363*
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VISHAY SQJ952EP-T1_GE3 MOSFET 2FACH N-KANAL 60V, POWERPAK SO-8L (1 Angebot) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23 A Produktpalette: TrenchFET Series Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 V Dauer-Drainstrom Id, ...
Vishay
SQJ952EP-T1_GE3
ab CHF 0.46*
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Vishay N-Channel 60 V SQJ174EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 293 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = N-Channel 60 V Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,006 Ω Gate-Schwellenspannung ...
Vishay
SQJ174EP-T1_GE3
ab CHF 0.722*
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VISHAY SQJA82EP-T1_GE3 MOSFET, N-KANAL, 80V, 60A, 175°C, 68W (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068 ohm Produktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom...
Vishay
SQJA82EP-T1_GE3
ab CHF 0.463*
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VISHAY SQJ182EP-T1_GE3 MOSFET N-KANAL 80V 210A POWERPAK SO-8L (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmont...
Vishay
SQJ182EP-T1_GE3
ab CHF 0.545*
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VISHAY SQJA92EP-T1_GE3 MOSFET AEC-Q101 N-KANAL 80V, POWERPAK SO (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078 ohm Produktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: ...
Vishay
SQJA92EP-T1_GE3
ab CHF 0.475*
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Vishay SQJ186ELP-T1_GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 80 V / 66 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 66 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = PCB-Montage Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente ...
Vishay
SQJ186ELP-T1_GE3
ab CHF 0.292*
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VISHAY SQJB42EP-T1_GE3 MOSFET, 2FACH N-KANAL, 40V, 30A, POWERSO (1 Angebot) 
Verlustleistung, n-Kanal: 48 W Verlustleistung, p-Kanal: 48 W Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: PowerSO Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: To Be Advised Drain-Source-Spannung Vds, n...
Vishay
SQJB42EP-T1_GE3
ab CHF 0.501*
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Vishay TrenchFET SQJ211ELP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 33,6 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,03 Ω Channel-Modus = Enhancement...
Vishay
SQJ211ELP-T1_GE3
ab CHF 0.536*
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VISHAY SQJB80EP-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, 80V, 30A, POWERPAK SO (1 Angebot) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30 A Produktpalette: TrenchFET Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80...
Vishay
SQJB80EP-T1_GE3
ab CHF 0.419*
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Vishay SQJ264EP SQJ264EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 54 A, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 54 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Dual Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 0,02 Ω Channel-Modus...
Vishay
SQJ264EP-T1_GE3
ab CHF 0.584*
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Vishay SQJQ936EL-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 4-Pin 8 x 8L (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = 8 x 8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Vishay
SQJQ936EL-T1_GE3
ab CHF 1.22*
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VISHAY SQJ411EP-T1_GE3 MOSFET, AUTO, P-KANAL, -12V, POWERPAK SO (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048 ohm Produktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp:...
Vishay
SQJ411EP-T1_GE3
ab CHF 0.565*
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VISHAY SQM120N06-06_GE3 MOSFET, N-KANAL, 60V, 120A, TO-263 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045 ohm Produktpalette: TrenchFET Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform -...
Vishay
SQM120N06-06_GE3
ab CHF 1.61*
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