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Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058 ohm Produktpalette: HEXFET MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drains...
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Bauform - Transistor: TO-252AA Drain-Source-Spannung Vds: 30 V Verlustleistung: 45 W Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V...
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ISC015N04NM5ATMA1
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