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  Transistor  (9’914 Angebote unter 5’551’500 Artikeln)

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"Transistor"

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Infineon StrongIRFET IRF6613TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 40 A DirectFET ISOMETRISCH (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = StrongIRFET Montage-Typ = SMD Drain-Source-Widerstand max. = 0,0035 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwell...
Infineon
IRF6613TRPBF
ab CHF 1.00*
pro Stück
 
 Stück
ROHM BM63373S-VC IPM-MODUL, IGBT, 600V, 10A, HSDIP25VC (2 Angebote) 
Nennstrom (Ic/Id): 10 A Produktpalette: - Nennspannung (Vces / Vdss): 600 V Bauform - IPM: HSDIP25VC Isolationsspannung: 1.5 kV IPM-Baureihe: DIPIPM SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) IPM-Leistungsbaustei...
ROHM Semiconductor
BM63373S-VC
ab CHF 14.87*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 300 A 20V max. Dual, 600 V 2,21 kW 94 x 48 mm (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 2,21 kW Gehäusegröße = 94 x 48 mm Transistor-Konfiguration = Dual
Mitsubishi
CM300DY-13T#300G
ab CHF 1’512.99*
pro 10 Stück
 
 Packung
ROHM DTA015EUBTL DIGITALER TRANSISTOR, -0.1A, SOT-323FL (1 Angebot) 
Produktpalette: DTA015E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 100 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 100 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTA015EUBTL
ab CHF 0.161*
pro 5 Stück
 
 Packung
Mitsubishi IGBT-Modul / 100 A 20V max. Dual, 600 V 775 W 94 x 34 mm (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = 94 x 34 mm Transistor-Konfiguration = Dual
Mitsubishi
CM100DY-13T#300G
ab CHF 845.49*
pro 10 Stück
 
 Packung
ROHM BM63375S-VC IPM, IGBT, 20A, 600V, HSDIPVC-25L (2 Angebote) 
Nennstrom (Ic/Id): 20 A Nennspannung (Vces / Vdss): 600 V Produktpalette: - Bauform - IPM: HSDIP Isolationsspannung: 1.5 kVrms IPM-Baureihe: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) IPM-Leistungsbaustein: IGB...
ROHM Semiconductor
BM63375S-VC
ab CHF 17.12*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 200 A 20V max. Dual, 600 V 1,4 kW 94 x 34 mm (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = 94 x 34 mm Transistor-Konfiguration = Dual
Mitsubishi
CM200DY-13T#300G
ab CHF 117.58*
pro Stück
 
 Stück
ROHM DTA015TMT2L DIGITALER TRANSISTOR -50V -0.1A SOT-723 (1 Angebot) 
Produktpalette: DTA015T Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 100 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpola...
ROHM Semiconductor
DTA015TMT2L
ab CHF 0.1245*
pro 5 Stück
 
 Packung
Mitsubishi IGBT / 450 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...
Mitsubishi
CM450DX -24T #300G
ab CHF 138.69*
pro Stück
 
 Stück
ROHM BM63574S-VC IPM-MODUL, IGBT, 600V, 15A, HSDIP25VC (2 Angebote) 
Nennstrom (Ic/Id): 15 A Produktpalette: - Nennspannung (Vces / Vdss): 600 V Bauform - IPM: HSDIP25VC Isolationsspannung: 1.5 kV IPM-Baureihe: DIPIPM SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) IPM-Leistungsbaustei...
ROHM Semiconductor
BM63574S-VC
ab CHF 13.94*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 450 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...
Mitsubishi
CM450DX -24T #300G
ab CHF 231.03*
pro Stück
 
 Stück
ROHM DTA023EEBTL DIGITALER TRANSISTOR, -0.1A, SOT-416FL (1 Angebot) 
Produktpalette: DTA023E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTA023EEBTL
ab CHF 0.1025*
pro 5 Stück
 
 Packung
Mitsubishi IGBT-Modul / 150 A 20V max. Dual, 600 V 1,09 kW 94 x 34 mm (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = 94 x 34 mm Transistor-Konfiguration = Dual
Mitsubishi
CM150DY-13T#300G
ab CHF 995.33*
pro 10 Stück
 
 Packung
ROHM BM63575S-VC IPM-MODUL, IGBT, 600V, 20A, HSDIP25VC (2 Angebote) 
Nennstrom (Ic/Id): 20 A Produktpalette: - Nennspannung (Vces / Vdss): 600 V Bauform - IPM: HSDIP25VC Isolationsspannung: 1.5 kV IPM-Baureihe: DIPIPM SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) IPM-Leistungsbaustei...
ROHM Semiconductor
BM63575S-VC
ab CHF 17.13*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 300 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 300 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...
Mitsubishi
CM300DY-24T #300G
ab CHF 195.98*
pro Stück
 
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