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| Artikel-Nr.:
3794E-1464437 Herst.-Nr.:
SI2302DDS-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040664418 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.85V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 0,71 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±8 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.02mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 75 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.85V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 0,71 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±8 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1.02mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet sot-23, 1464437, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2302DDST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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