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VISHAY SI2302DDS-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 20V, 2.6A, SOT-23-3


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2400359
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2302DDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 2.6 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 710 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2302DDS-T1-GE3, 2400359, 240-0359
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