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Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
3794E-1696089
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SI1302DL-T1-E3
EAN/GTIN:
5059040859470
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 600 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 480 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 280 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.35mm
Höhe = 1mm
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
600 mA
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SOT-323
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
480 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
280 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
1.35mm
Höhe:
1mm
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Weitere Suchbegriffe:
Transistor
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mosfet vishay
,
smd transistor
,
1696089
,
Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
,
Vishay
,
SI1302DLT1E3
,
Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
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