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| Artikel-Nr.: 8737-3772737 Herst.-Nr.: SI1302DL-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41 ohmProduktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 600 mABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SC-70 Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 280 mWQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI1302DL-T1-GE3, 3772737, 377-2737 |
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