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| Artikel-Nr.: 3794E-2296457 Herst.-Nr.: NTH4L015N065SC1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 142 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SiC Power Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,012 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 142 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | SiC Power | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,012 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, 2296457, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTH4L015N065SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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