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| Artikel-Nr.: 8737-3766205 Herst.-Nr.: NTH4L015N065SC1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 4 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 142 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 500 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTH4L015N065SC1, 3766205, 376-6205 |
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