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| Artikel-Nr.: 3794E-2398619 Herst.-Nr.: SIHA15N80AEF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 850 V Gehäusegröße = TO-220 FP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 850 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 2398619, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHA15N80AEFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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