| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3782495 Herst.-Nr.: SIHA15N80AEF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305 ohmProduktpalette: EF MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 6 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220FP Drain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 33 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, to-220 mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHA15N80AEF-GE3, 3782495, 378-2495 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |