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| Artikel-Nr.: 3794E-2456973 Herst.-Nr.: NXH350N100H4Q2F2P1G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 303 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 4 Gehäusegröße = Q2PACK (bleifrei/halogenfrei) Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 303 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1000 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 4 | Gehäusegröße: | Q2PACK (bleifrei/halogenfrei) |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2456973, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, onsemi, NXH350N100H4Q2F2P1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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