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| Artikel-Nr.: 8737-3929806 Herst.-Nr.: NXH350N100H4Q2F2P1G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1 kVBetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 303 AIGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63 VVerlustleistung: 592 WSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Transistormontage: Platte IGBT-Konfiguration: Viererpack RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NXH350N100H4Q2F2P1G, 3929806, 392-9806 |
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