| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-2456975 Herst.-Nr.: NXH350N100H4Q2F2S1G EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 303 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 592 W Gehäusegröße = Q2PACK (bleifrei/halogenfrei) Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 303 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1000 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 592 W | Gehäusegröße: | Q2PACK (bleifrei/halogenfrei) |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2456975, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, onsemi, NXH350N100H4Q2F2S1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |