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onsemi IGBT-Modul / 303 A ±20V max. Quad, 1000 V 592 W Q2PACK (bleifrei/halogenfrei)


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2456975
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NXH350N100H4Q2F2S1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
onsemi transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 303 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 592 W
Gehäusegröße = Q2PACK (bleifrei/halogenfrei)
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
303 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1000 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
592 W
Gehäusegröße:
Q2PACK (bleifrei/halogenfrei)
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2456975, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, onsemi, NXH350N100H4Q2F2S1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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