| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3929807 Herst.-Nr.: NXH350N100H4Q2F2S1G EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1 kVBetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: Modul Dauer-Kollektorstrom: 303 AIGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63 VVerlustleistung: 592 WSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Transistormontage: Platte IGBT-Konfiguration: Viererpack RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NXH350N100H4Q2F2S1G, 3929807, 392-9807 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |