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| Artikel-Nr.:
3794E-2587078 Herst.-Nr.:
IPD060N03LGATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Montage-Typ = SMD
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V. optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS Optimierte Technik für DC/DC-Wandler Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen N-Kanal, Logikebene Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM) Sehr geringer Widerstand R DS(ON) Pb-frei Beschichtung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PG-TO263-7 | Montage-Typ: | SMD |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet 50a, 2587078, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD060N03LGATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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