Bezeichnung=MOSFET, Typ=IPD060N03LGATMA1, Abfallzeit=3 ns, Anstiegzeit=3 ns, Ausschaltverzögerung=20 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=30 V, Einschaltverzögerung=5 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=50 A, Leistungsverteilung (PV)=56 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Widerstand EIN (Rds(On))=6 mΩ, Bauform=TO-252, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Country of origin: | MY | Customs tariff number: | 8541100000 | Height: | 3 mm | Net weight: | 0,100 g | Depth: | 15 mm | Gross weight: | 0,1 g | Width: | 10 mm |
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