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Vishay IRF510PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 5.6 A 43000 mW, 3-Pin TO-220AB


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Vishay IRF510PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 5.6 A 43000 mW, 3-Pin TO-220AB
Artikel-Nr.:
     3794E-7085134
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRF510PBF
EAN/GTIN:
     5059040973930
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5.6 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 540 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 43000 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8,3 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
5.6 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
540 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
43000 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
8,3 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, feldeffekttransistor, mosfet to-220ab, 7085134, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF510PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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