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| Artikel-Nr.: 3924-162402-9H Herst.-Nr.: IRF510PBF EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Vishay IRF510PBF MOSFET 1 N-Kanal 43 W TO-220
MOSFET (HEXFET /FETKY)
Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 180 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): VIS · I(d): 5.6 A · Leistung (max) P(TOT): 43 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 8.3 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 540 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 3.4 A · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, feldeffekttransistor, mosfet to-220ab, Vishay, IRF510PBF, 708-5134, IRF510-ND, FET, Feldeffekt-transistor |
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