Bezeichnung=Bipolarer Transistor, Typ=DI2579N, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=9 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=30, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=-999, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=400 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=1 A, Leistungsverteilung (PV)=1.25 W, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=SOT-223, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen: | | Country of origin: | CN | Customs tariff number: | 8541100000 | Height: | 5 mm | Net weight: | 1 g | Depth: | 10 mm | Gross weight: | 1 g | Width: | 8 mm |
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