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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK)


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-1664111
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     SPD07N60C3ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Dioden
Einfache
FETs
Gleichrichter
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 7.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 83 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
  • Die Konditionen im Überblick1
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