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Artikel
VISHAY SIHD7N60E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 600V, 7A, DPAK
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2283642
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SIHD7N60E-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.5 ohm
Produktpalette:
E
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
7 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds:
650 V
Verlustleistung:
78 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
2 V
SVHC:
Lead (19-Jan-2021)
RoHS konform: Ja
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Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
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FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
Transistor
,
mosfet vishay
,
smd transistor
,
mosfet dpak
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
VISHAY
,
SIHD7N60E-GE3
,
2283642
,
228-3642
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