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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-1684049
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2302CDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 8 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 2.9 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-236
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 710 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850 mV
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2302CDS-T1-GE3, 1684049, 168-4049
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