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| Artikel-Nr.: 8737-2895682 Herst.-Nr.: FCMT180N65S3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152 ohmProduktpalette: SUPERFET III MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 17 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PQFN Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 139 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FCMT180N65S3, 2895682, 289-5682 |
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