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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3 Der Rohm Feldstopp-Trench-IGBT ...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DHRC11
ab CHF 4.96*
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ROHM BSS84XHZGG2CR P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 mA, 3-Pin DFN1010 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 200 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = DFN1010 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 5,3 Ω Gate-Schwellenspannung m...
ROHM Semiconductor
BSS84XHZGG2CR
ab CHF 0.685*
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onsemi SUPERFET III FCB125N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 24 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...
onsemi
FCB125N65S3
ab CHF 2.25*
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onsemi SUPERFET III NTH4LN040N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 62 A, 4-Pin TO-247-4 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 62 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,04 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
onsemi
NTH4LN040N65S3H
ab CHF 9.38*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 267 W Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
ab CHF 3.82*
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ROHM HP HP8K24TB N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A, 8-Pin HSOP8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = HP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 3 mO Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
ROHM Semiconductor
HP8K24TB
ab CHF 0.52*
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onsemi SUPERFET III FCPF250N65S3R0L-F154 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A, 3-Pin TO-220F (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,25 Ω Gate-Schwellenspannung max...
onsemi
FCPF250N65S3R0L-F154
ab CHF 1.32*
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onsemi SUPERFET III NTMT125N65S3H N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A, 8-Pin TDFN4 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
onsemi
NTMT125N65S3H
ab CHF 4.38*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 650 V 178 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 178 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65DHRC11
ab CHF 4.27*
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ROHM IGBT / 104 A ±30V max. , 650 V 288 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 104 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 288 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
ab CHF 2’228.43*
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onsemi SUPERFET III FCPF600N65S3R0L-F154 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 6 A, 3-Pin TO-220F (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,6 Ω Gate-Schwellenspannung max. ...
onsemi
FCPF600N65S3R0L-F154
ab CHF 1.07*
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onsemi SUPERFET III NTP360N80S3Z N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 800 V / 13 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 360 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...
onsemi
NTP360N80S3Z
ab CHF 1.98*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 650 V 178 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 178 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65HRC11
ab CHF 3.92*
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ROHM IGBT / 23 A ±30V max. , 650 V 85 W, 3-Pin TO-3PFM N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-3PFM Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65DGVC11
ab CHF 3.07*
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onsemi SUPERFET III NTD250N65S3H N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,25 Ω Gate-Schwellenspannung max...
onsemi
NTD250N65S3H
ab CHF 1.12*
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