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ROHM BSS84WT106 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 210 mA, 3-Pin UMT3 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 210 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = UMT3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
BSS84WT106
ab CHF 0.21*
pro 5 Stück
 
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ROHM BSS138BWAHZGT106 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 380 mA, 3-Pin UMT (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 380 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = UMT Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,68 Ω Channel-Modus = Enhancement...
ROHM Semiconductor
BSS138BWAHZGT106
ab CHF 0.0912*
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Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = LFPAK, SOT-669 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,014 Ω Channel-Modus = E...
Renesas Electronics
RJK0651DPB-00#J5
ab CHF 2’268.70*
pro 2’500 Stück
 
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onsemi SUPERFET III NTPF095N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,095 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
onsemi
NTPF095N65S3H
ab CHF 4.68*
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ROHM HS8MA2TCR1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A; 7 A, 9-Pin DFN3333-9DC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A; 7 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = DFN3333-9DC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 9 Drain-Source-Widerstand max. = 0,08 Ω, 0,035 Ω Gat...
ROHM Semiconductor
HS8MA2TCR1
ab CHF 0.41*
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ROHM BSS670T116 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 650 A, 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 650 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
BSS670T116
ab CHF 0.0513*
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Rohde & Schwarz NGM-K104 Digitales Spannungsmessgerät für Netzteil der Serie NGM200 (1 Angebot) 
Zubehör Typ = Digitales Spannungsmessgerät Geeignet für den Einsatz mit = Netzteil der Serie NGM200 Max. Ausgangsleistung: 120 W Spannung pro Kanal: 0 V bis 20 V. Max. Strom pro Kanal: 6 A. Auflösu...
Rohde + Schwarz
NGM-K104
ab CHF 324.31*
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onsemi SUPERFET III NTPF165N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 19 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,165 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
onsemi
NTPF165N65S3H
ab CHF 2.58*
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ROHM IGBT / 10 A ±30V max. , 650 V 106 W, 3-Pin TO-263L (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 106 W Gehäusegröße = TO-263L Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGT20NL65GTL
ab CHF 0.767*
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ROHM BSS84WT106 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 210 mA, 3-Pin UMT3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 210 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = UMT3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
BSS84WT106
ab CHF 0.0412*
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ROHM BSS138BKWT106 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 380 mA, 3-Pin UMT (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 380 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = UMT Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,68 Ω Channel-Modus = Enhancement...
ROHM Semiconductor
BSS138BKWT106
ab CHF 0.0826*
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onsemi SUPERFET III NTPF250N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 13 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,25 Ω Gate-Schwellenspannung max...
onsemi
NTPF250N65S3H
ab CHF 2.13*
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ROHM IGBT / 104 A ±30V max. , 650 V 288 W To-247GE (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 104 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 288 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65GC13
ab CHF 2.66*
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ROHM HP HP8K24TB N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A, 8-Pin HSOP8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = HP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 3 mO Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Der ...
ROHM Semiconductor
HP8K24TB
ab CHF 0.537*
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ROHM BSS138WT106 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 310 mA, 3-Pin UMT3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 310 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = UMT3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
BSS138WT106
ab CHF 0.0307*
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