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ROHM HS8MA2TCR1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A; 7 A, 9-Pin DFN3333-9DC (2 Angebote) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A; 7 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = DFN3333-9DC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 9 Drain-Source-Widerstand max. = 0,08 Ω, 0,035 Ω Gat...
ROHM Semiconductor
HS8MA2TCR1
ab CHF 0.39*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 267 W Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DHRC11
ab CHF 3.41*
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ROHM QH8KB6 QH8KB6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 8-Pin TSMT-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = QH8KB6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0177 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate...
ROHM Semiconductor
QH8KB6TCR
ab CHF 0.41*
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ROHM IGBT / 75 A ±30V max. , 650 V 404 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EHRC11
ab CHF 8.24*
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ROHM IGBT / 104 A ±30V max. , 650 V 288 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 104 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
ab CHF 4.26*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 267 W Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3 Der Rohm Feldstopp-Trench-IGB...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
ab CHF 2.86*
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ROHM QH8KC6 QH8KC6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,5 A, 8-Pin TSMT-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = QH8KC6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,03 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate...
ROHM Semiconductor
QH8KC6TCR
ab CHF 0.43*
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ROHM IGBT / 80 A ±30V max. , 1200 V 555 W, 3-Pin TO-247N (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 555 W Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2DGC11
ab CHF 7.84*
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ROHM IGBT / 23 A ±30V max. , 650 V 85 W, 3-Pin TO-3PFM N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-3PFM Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65DGVC11
ab CHF 4.95*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 650 V 178 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 178 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65DHRC11
ab CHF 2.74*
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ROHM QH8MB5 QH8MB5TCR N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,5 A, 5 A, 8-Pin TSMT-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A, 5 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = QH8MB5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,041 O (P-Kanal), 0,044 O (N-K...
ROHM Semiconductor
QH8MB5TCR
ab CHF 0.24*
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ROHM IGBT / 85 A ±30V max. , 650 V 277 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH00TS65DGC13
ab CHF 4.21*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3 Der Rohm Feldstopp-Trench-IGBT ...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DGC11
ab CHF 4.55*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 650 V 178 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65HRC11
ab CHF 2.94*
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ROHM R6000ENHTB1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 500 mA, 8-Pin SOP (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 500 mA Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = SOP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 8,8 Ω Channel-Modus = Enhancement...
ROHM Semiconductor
R6000ENHTB1
ab CHF 0.33*
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