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ROHM R8003KNXC7G N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin TO-220FM (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-220FM Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,8 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
ROHM Semiconductor
R8003KNXC7G
ab CHF 1.12*
pro Stück
 
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ROHM IGBT / 70 A ±30V max. , 650 V 234 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGTH80TS65DGC13
ab CHF 3.46*
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 Stück
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ROHM IGBT / 80 A ±30V max. , 1200 V 555 W, 3-Pin TO-247N (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 555 W Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2GC11
ab CHF 6.29*
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ROHM RD3L07BATTL1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 70 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 70 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,127 Ω Gate-Schwellenspan...
ROHM Semiconductor
RD3L07BATTL1
ab CHF 4.505*
pro 5 Stück
 
 Packung
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ROHM R8009KNXC7G N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 9 A, 3-Pin TO-220FM (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-220FM Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,6 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
ROHM Semiconductor
R8009KNXC7G
ab CHF 1.97*
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ROHM IGBT / 71 A ±30V max. , 650 V 202 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 71 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 202 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65GC13
ab CHF 1’675.53*
pro 600 Stück
 
 Packung
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ROHM IGBT / 88 A ±30V max. , 650 V 245 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65GC13
ab CHF 2.59*
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ROHM RD3P07BBHTL1 N-Kanal, SMD MOSFET 6 V / 50 A, 3-Pin TO-252 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 6 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
RD3P07BBHTL1
ab CHF 1.25*
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ROHM RD3 RD3P130SPFRATL P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = RD3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 200 mO Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
ROHM Semiconductor
RD3P130SPFRATL
ab CHF 0.70*
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ROHM IGBT / 75 A ±30V max. , 650 V 404 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EGC11
ab CHF 4.36*
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ROHM QH8JC5TCR P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,5 A, 8-Pin TSMT-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 3,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TSMT-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,91 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
ROHM Semiconductor
QH8JC5TCR
ab CHF 0.36*
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ROHM RD3P130SP RD3P130SPTL1 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252) (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = RD3P130SP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 230 mΩ Channel-Modus = Enhancement G...
ROHM Semiconductor
RD3P130SPTL1
ab CHF 0.52*
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ROHM RD3G03BATTL1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,191 Ω Gate-Schwellenspan...
ROHM Semiconductor
RD3G03BATTL1
ab CHF 0.527*
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ROHM IGBT / 75 A ±30V max. , 650 V 404 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65HRC11
ab CHF 3.90*
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ROHM QH8KB6 QH8KB6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 8-Pin TSMT-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = QH8KB6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0177 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate...
ROHM Semiconductor
QH8KB6TCR
ab CHF 0.40*
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