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onsemi SUPERFET III NTPF125N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24 A, 3-Pin TO−220 FULLPAK (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
onsemi
NTPF125N65S3H
ab CHF 2.30*
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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 144 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 144 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH40TS65GC13
ab CHF 2.98*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DGC11
ab CHF 3.64*
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onsemi SUPERFET III NTD360N80S3Z N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 800 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 360 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...
onsemi
NTD360N80S3Z
ab CHF 1.19*
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onsemi SUPERFET III NTPF190N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,19 Ω Gate-Schwellenspannung max...
onsemi
NTPF190N65S3H
ab CHF 2.71*
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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 214 W Konfiguration = Single Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65DHRC11
ab CHF 4.90*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 267 W Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2GC11
ab CHF 2.55*
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onsemi SUPERFET III NTH4LN040N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 62 A, 4-Pin TO-247-4 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 62 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,04 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
onsemi
NTH4LN040N65S3H
ab CHF 6.63*
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onsemi SUPERFET III NTPF360N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 10 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,36 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
onsemi
NTPF360N65S3H
ab CHF 3.14*
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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 214 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65HRC11
ab CHF 4.24*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 650 V 178 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65CHRC11
ab CHF 5.94*
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onsemi SUPERFET III NTMT125N65S3H N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A, 8-Pin TDFN4 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
onsemi
NTMT125N65S3H
ab CHF 2.87*
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onsemi SUPERFET V NTHL041N60S5H N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 57 A, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 57 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = SUPERFET V Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,041 Ω Channel-Modus = Enhancement...
onsemi
NTHL041N60S5H
ab CHF 7.24*
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ROHM IGBT / 48 A ±30V max. , 600 V 111 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 48 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60DGC13
ab CHF 2.61*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 650 V 178 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 178 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65EHRC11
ab CHF 1’939.752*
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