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  6-fach  (1’799 Angebote unter 5’584’080 Artikeln)

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Libell Hakenleiste 6-fach, silberfarbig (2 Angebote) 
Libell Hakenleiste 6-fach, silberfarbig für Wandmontage, mit 6 fixen Haken
PEKA METALL
600.0361.12
ab CHF 4.19*
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Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 6-fach, 1200 V 280 W, 28-Pin N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 6 Konfiguration = Common Emitter Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Ty...
Infineon
FS50R12KT3BPSA1
ab CHF 115.77*
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Infineon IGBT-Modul / 200 A 20V max. 6-fach, 1200 V 20 mW, 20-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Channel-Typ = N Pinanzahl = 20 Transistor-Kon...
Infineon
FS200R12PT4PBOSA1
ab CHF 1’369.80*
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Infineon IGBT-Modul / 820 A +/-20V max. 6-fach, 750 V 20 mW, 33-Pin AG-HYBRIDD-1 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 820 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = AG-HYBRIDD-1 Channel-Typ = N Pinanzahl = 33 Das Inf...
Infineon
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ab CHF 433.98*
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onsemi Smart Power Modul 6-fach, 600 V 50 W, 38-Pin DIP N-Kanal (2 Angebote) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = DIP Channel-Typ = N Pinanzahl = 38 Transistor-Konfiguration = Serie
onsemi
NFAQ1560R43T
ab CHF 12.41*
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Infineon IGBT-Modul / 200 A 20V max. 6-fach, 1200 V 20 mW, 20-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Channel-Typ = N Pinanzahl = 20 Transistor-Kon...
Infineon
FS200R12PT4PBOSA1
ab CHF 281.69*
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Infineon IGBT-Modul / 820 A +/-20V max. 6-fach, 750 V 20 mW, 33-Pin AG-HYBRIDD-1 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 820 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = AG-HYBRIDD-1 Channel-Typ = N Pinanzahl = 33
Infineon
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ab CHF 448.16*
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Mitsubishi IGBT-Modul / 10 6-fach, 600 V PowerDIP-Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = PowerDIP-Modul Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = 3-phasig Das ...
Mitsubishi
PSS10S92F6-AG
ab CHF 131.38*
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Infineon IGBT-Modul / 760 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V, 33-Pin AG-HYBRIDD-1 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 760 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = AG-HYBRIDD-1 Channel-Typ = N Pinanzahl = 33 Der In...
Infineon
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ab CHF 3’499.21002*
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Mitsubishi IGBT-Modul / 10 6-fach, 600 V PowerDIP-Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = PowerDIP-Modul Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Mitsubishi
PSS10S92F6-AG
ab CHF 21.44*
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Mitsubishi IGBT-Modul / 20 6-fach, 600 V PowerDIP-Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = PowerDIP-Modul Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Mitsubishi
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ab CHF 181.51*
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Infineon Smart Power Modul / 20 A 6-fach, 3,21 V 156 W, 18-Pin DIP 36 x 23 D. N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 3,21 V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = DIP 36 x 23 D. Channel-Typ = N Pinanzahl = 18 Transistor-Konfiguration = Serie
Infineon
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ab CHF 25.72*
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Mitsubishi IGBT-Modul / 20 6-fach, 600 V PowerDIP-Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = PowerDIP-Modul Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = 3-phasig Das ...
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ab CHF 29.52*
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onsemi Smart Power Modul 6-fach, 600 V 50 W, 38-Pin DIP N-Kanal (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Verlustleistung max. = 50 W Gehäusegröße = DIP Channel-Typ = N Pinanzahl = 38 Transistor-Konfiguration = Serie The ON Semiconductor fully-integrated inverter powe...
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ab CHF 14.19*
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onsemi IGBT / 5 A 16.5V max. 6-fach, 1200 V, 39-Pin DIP N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 16.5V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = DIP Channel-Typ = N Pinanzahl = 39 Das on Semiconduct...
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ab CHF 2’044.5804*
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