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  mosfet 80a  (244 gefilterte Angebote unter 5’362’928 Artikeln)

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"MOSFET"

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ROHM HP HP8K24TB N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A, 8-Pin HSOP8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = HP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 3 mO Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
ROHM Semiconductor
HP8K24TB
ab CHF 0.53*
pro Stück
 
 Stück
Taiwan Semiconductor TSM025 TSM055N03PQ56 MOSFET 30 V / 80 A, 8-Pin PDFN56 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PDFN56 Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2....
Taiwan Semiconductor
TSM055N03PQ56
ab CHF 1’689.75*
pro 2’500 Stück
 
 Packung
Taiwan Semiconductor TSM025 TSM055N03EPQ56 MOSFET 30 V / 80 A, 8-Pin PDFN56 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = TSM025 Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Tran...
Taiwan Semiconductor
TSM055N03EPQ56
ab CHF 0.65*
pro Stück
 
 Stück
Taiwan Semiconductor TSM025 TSM055N03EPQ56 MOSFET 30 V / 80 A, 8-Pin PDFN56 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = TSM025 Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Tran...
Taiwan Semiconductor
TSM055N03EPQ56
ab CHF 1’697.125*
pro 2’500 Stück
 
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STMicroelectronics STB80NF55-06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 6,5 mΩ Channel-Modus = En...
ST Microelectronics
STB80NF55-06T4
ab CHF 1’569.79*
pro 1’000 Stück
 
 Packung
Taiwan Semiconductor TSM025 TSM055N03PQ56 MOSFET 30 V / 80 A, 8-Pin PDFN56 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = TSM025 Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Tran...
Taiwan Semiconductor
TSM055N03PQ56
ab CHF 0.65*
pro Stück
 
 Stück
Vishay TrenchFET SiR186LDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 80,3 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80,3 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0044 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
Vishay
SiR186LDP-T1-RE3
ab CHF 0.38*
pro Stück
 
 Stück
Vishay TrenchFET SiR186LDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 80,3 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80,3 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0044 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
Vishay
SiR186LDP-T1-RE3
ab CHF 0.37*
pro Stück
 
 Stück
DiodesZetex DMN3009SK3-13 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A 44 W, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ Channel-Modus = Enhan...
Diodes
DMN3009SK3-13
ab CHF 0.16*
pro Stück
 
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DIODES INC. DMPH1006UPSQ-13 MOSFET, P-KANAL, 12V, 80A, POWERDI 5060 (1 Angebot) 
Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 80 A Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Drain-Source-Spannung Vds: 12 V Verlustleistung: 1.8 W Qualifikation: AEC-Q101 Gate-S...
Diodes
DMPH1006UPSQ-13
ab CHF 0.523*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. DMT10H009SPS-13 MOSFET N-KANAL, 100V, 80A, POWERDI 5060 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 80 ...
Diodes
DMT10H009SPS-13
ab CHF 0.384*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSC0901NSIATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 30 V / 80 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSC0901NSIATMA1
ab CHF 0.87*
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Infineon IPB80N04S4L-04 Transistor 40 V (1 Angebot)
Infineon
IPB80N04S4L04ATMA1
ab CHF 0.862*
pro Stück
 
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Infineon BSZ031NE2LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 25 V / 80 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1
ab CHF 0.79*
pro Stück
 
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Infineon IAUC80N04S6L032 Transistor 40 V (1 Angebot)
Infineon
IAUC80N04S6L032ATMA1
ab CHF 1’519.55*
pro 5’000 Stück
 
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